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根据4月10日的首尔经济日报，三星电子最近宣布推出“ Dream （꿈의반도체공정）1NM CHIP研发，并有望在2029年以后实现大规模生产，旨在通过破坏性的技术突破来赶上TSMC。
三星电子正在对下一代半导体技术发起一般攻击，这标志着韩国巨头朝着比2NM更高级的过程技术发展。尽管目前在3NM和2NM节点中落后于TSMC，但三星计划通过破坏性技术路线在2029年后实现1NM流程的大规模生产，目标目标直接针对AI芯片市场的爆炸性增长需求。
1。打破设计框架：1纳米节点技术创新
1NM节点需要完全突破现有的芯片设计框架，涉及全面引入下一代设备，例如高数字光圈极端紫外线光刻（High-Na EUV）。
三星将一些参与2NM研发的工程师转移到了1NM项目团队中，表明了其对项目的战略重要性。
三星目前发布的最新过程路线图显示，计划在2027年大规模生产的1.4nm流程仍然是其最先进的节点，而TSMC去年宣布，它将在2026年下半年开始大规模生产1.6nm的流程，而技术生产差异仍然存在。
2。流程的差距会扩大，三星加速了技术的突破
三星在3NM和2NM过程方面具有与TSMC的技术差距。 TSMC的2NM工艺产量已超过60％，而三星的产量相对较低。
三星电子副总裁李·杨（Lee Jae-Yong）上个月强调，“继承技术优先的传统”，并要求管理层“通过世界上不存在的技术创造未来”。
该声明被解释为对过程竞争挫折危机的回应，也是提前开发1NM的直接动机。
此外，三星还在增加其研发投资，并计划引入高数字射击EUV光刻设备，以在1NM流程中实现技术突破，从而重新确定其未来AI芯片市场的领先地位。
3。技术生成差距成为AI芯片技术竞赛的新筹码
随着对AI培训计算能力的需求每6个月增加一倍，芯片制造的突破已成为决定性因素。
TSMC通过添加新的1.6nm节点来抓住过渡市场，而三星选择直接越过1NM，试图通过技术生成差异来超越。
三星铸造厂的新主席汉金曼（Han ）最近访问了当地的AI芯片初创公司，例如DeepX，表明它正在加速工业协同作用。
结论：过程革命可以重塑竞争格局吗？
从当前3NM节点的产量差距到可能在2NM节点中扩展的技术生成差距，三星的1NM策略既是技术追溯，又是路径重塑。
引入高数字孔径EUV设备将大大增加单晶片的成本，而这场“燃贷”技术竞赛可能会重塑全球铸造厂市场结构。
对于AI芯片开发人员而言，过程节点的突破不仅是性能的改进，而且是决定未来计算能力生态系统的关键变量。
当TSMC在2026年推出1.6nm群众生产时，三星是否可以使用1NM流程来扭转2029年的情况，这项技术竞赛的结果可能会在未来三年内确定。
资料来源：汉城经济日报，
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