据介绍，其研发的T150A光刻胶系列产品已通过半导体工艺量产验证，实现原材料全部国产化、配方自主设计，有望开创国内半导体光刻机制造的新局面。
公开资料显示，光刻胶是芯片制造的光刻工艺中使用的感光材料。其工作原理类似于相机的胶片曝光。在芯片制造过程中，将光刻胶涂在晶圆上，并将电路图绘制在掩模上。
当光线透过掩模照射到光刻胶上时，就会发生曝光。经过一系列工艺后，晶圆上就会得到所需的电路图案。
由于光刻胶是芯片制造的关键材料，国外企业对其原材料和配方高度保密。目前，我国使用的光刻胶90%以上依赖进口。
这款由武汉国家光电子研究中心团队研发的半导体专用光刻胶对标国际领先公司的主流KrF光刻胶系列。
与国外某同系列产品相比，T150A在光刻工艺中表现出120nm的极限分辨率，并且在刻蚀工艺中具有更大的工艺宽容度、更高的稳定性、更好的薄膜保留率和更好的性能。通过验证，发现T150A中刻蚀出致密图形后，底层介质侧壁的垂直度极佳。
团队负责人表示：“从光刻技术的分子基础研究和原材料开发开始，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是一个开始。我们团队还将开发一系列能够凭借ArF光刻胶，我们致力于突破国外的关键技术，为国内相关行业带来更多惊喜。”
本站候鸟号已成立2年，主要围绕财经资讯类，分享日常的保险、基金、期货、理财、股票等资讯，帮助您成为一个优秀的财经爱好者。本站温馨提示：股市有风险，入市需谨慎。
暂无评论