IT Home在3月18日报道说，根据Today Today的报道，SK Hynix预计将仅提供 Ultra 芯片的第五代12层HBM3E，预计三星电子和微米的差距将进一步扩大。
去年9月，SK Hynix是世界上第一个大量生产12层HBM3E芯片的人，最大容量达到36GB。 12层HBM3E的运行速度为9.6Gbps，在配备了四个HBMS的GPU上运行“ Llama 3 70B”大语言模型时，每秒读取35次，总参数为700亿次。
It Home注意到，去年11月，SK Group主席Choi Tae-Won说，首席执行官Huang 要求SK Hynix提前六个月提供下一代高型带宽记忆芯片，称为HBM4。
SK Hynix计划在2025年下半年使用12层DRAM堆叠推出其首个HBM4产品，而16层堆叠HBM的推出时间比2026年晚一些。
熟悉此事的人们在2月份透露，三星电子已经获得了批准，可以为提供其8层HBM3E，这是一种高带宽内存芯片。尽管批准标志着向前迈出的一步，但就高带宽内存（HBM）技术而言，它仍然落后于SK Hynix和等竞争对手。
对于而言，执行副总裁兼首席财务官Mark在今年2月透露，该公司的12层HBM内存产品（12HI HBM3E）即将增加。
本站候鸟号已成立3年，主要围绕财经资讯类，分享日常的保险、基金、期货、理财、股票等资讯，帮助您成为一个优秀的财经爱好者。本站温馨提示：股市有风险，入市需谨慎。
暂无评论