三星芯片部门负责人亲访英伟达总部，展示改进后的1b DRAM芯片样品

消息人士称，要求三星去年改善其1B DRAM设计，这次显示的样本是根据的要求进行改进的结果。通常，三星设备解决方案（DS）部门负责人会亲自向客户展示样品很少见。

它的房屋注意到三星已计划使用1B DRAM去年生产HBM，但遇到了产量和过热问题。该DRAM是第五代10nm产品，主要用于HBM3E。由于上述问题，三星计划改用1A DRAM（1B DRAM的前身），以生产HBM3E 8H和12H，并计划跳过1B DRAM并直接使用1C DRAM生产HBM4。但是，由于坚持使用1B DRAM，三星不得不重新调整该计划。 DS部门副主席兼负责人Young Hyun Jun的访问可能是确保三星能够赢得的HBM3E订单。

目前，三星的竞争对手SK Hynix已为提供了用1B DRAM生产的HBM3E 12H，并且预计在不久的将来还将开始生产人工智能加速器所需的HBM。

三星上个月表示，其“改进版本” HBM3E的准备工作进展顺利，并计划在今年第二季度正式制作和供应。 Young Hyun Jun不仅是DS部门的负责人，而且是该部门的记忆业务负责人。作为DRAM领域的专家，他被认为领导了1B DRAM的设计改进。

在1月的CES展览会上，首席执行官詹森·黄（ Huang）曾表示，三星需要重新设计其HBM以通过的认证。

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