目前，EUV光刻系统的能耗备受关注。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV光刻系统为例，其功耗分别高达1,170千瓦和1,400千瓦。这种高能耗主要源于EUV系统的工作原理：高能激光脉冲以每秒数万次的频率蒸发锡滴（50万摄氏度），形成等离子体并发射波长为13.5的光。纳米。这一过程不仅需要庞大的激光基础设施和冷却系统，还需要在真空环境中进行，以避免EUV光被空气吸收。此外，EUV 工具中的先进镜子只能反射部分 EUV 光，因此需要更强大的激光器来提高产量。
IT之家指出，LLNL主导的“大孔径铥激光器”（BAT）技术旨在解决上述问题。与波长约为10微米的二氧化碳激光器不同，BAT激光器的工作波长为2微米，理论上可以提高锡滴与激光器相互作用时等离子体到EUV光的转换效率。此外，BAT系统采用二极管泵浦固态技术，与气态二氧化碳激光器相比，可提供更高的整体电效率和更好的热管理。
最初，LLNL研究团队计划将这种紧凑且高重复率的BAT激光器与EUV光源系统结合起来，测试其与波长为2微米的锡滴的相互作用。 LLNL 激光物理学家 Regan 表示：“在过去五年中，我们完成了理论等离子体模拟和概念验证实验，为该项目奠定了基础。”它产生了重要的影响，现在我们期待着下一步的研究。”
然而，将BAT技术应用于半导体生产仍需要克服重大基础设施改造的挑战。目前的EUV系统需要几十年的时间才能成熟，因此BAT技术的实际应用可能需要更长的时间。
行业分析公司预测，到2030年，半导体制造工厂的年用电量将达到54,000吉瓦（GW），超过新加坡或希腊的年用电量。如果下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV光刻技术上市，能耗问题可能会进一步加剧。因此，行业对更高效、节能的EUV机器技术的需求将不断增长，而LLNL的BAT激光技术无疑为这一目标提供了新的可能。
本站候鸟号已成立3年，主要围绕财经资讯类，分享日常的保险、基金、期货、理财、股票等资讯，帮助您成为一个优秀的财经爱好者。本站温馨提示：股市有风险，入市需谨慎。
暂无评论