此外，英诺赛科是世界上唯一一家提供工业规模硅基氮化镓半导体产品的公司。展示了公司在氮化镓技术方面全面专业的研发和制造能力。
英诺赛科的核心竞争力来自于其领先的技术研发实力和全产业链模式。公司拥有来自世界一流半导体公司的技术专家和资深人士，在氮化镓材料生长、芯片设计、制造工艺等方面拥有多项自主知识产权和核心技术。
创始人罗博士是一位世界级的科学家和富有远见的企业家，拥有丰富的经验。在创立本公司之前，罗博士多年来一直从事科研、项目管理和创业工作。
在研发方面，英诺赛科在苏州建立了全球研发中心，致力于创新，专注于自身技术平台的升级。在技术平台的不断迭代和改进中，公司产品的性能不断提高，生产成本不断降低。并推动关键绩效指标的不断突破。例如，该公司首创的双向双向 GaN 系列有效将面积效率提高了 33%，同时将系统损耗降低了 30%，而一个双向增强型双向 GaN 芯片可以替代两个硅。
目前，公司研发工作在全球共获得专利406项，其中发明专利331项，实用新型专利75项，专利申请387项。产品已从消费级走向工业级，并正在向汽车级迈进，覆盖更广泛的应用领域，具有更高的产品质量标准。
公司采用 IDM 一体化垂直运营模式，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装和可靠性测试。实现了全产业链的自主可控，有效保证了产品的质量和性能。与传统代工厂相比，IDM 模式在设计和生产协同、产能和供应链稳定性、成本和工艺技术升级等方面具有明显的优势。有望成为未来 GaN 行业的主导商业模式，市场观点是，早期部署 IDM 的公司可以获得先发优势和长期竞争力。
盈利能力显著提高，收获即将开始
随着产能和产品供应的扩大以及核心技术的成熟。英诺赛科已逐渐进入收获期，营收规模不断扩大。2021年至2023年，英诺赛科的营业收入分别为6800万元、1.36亿元和5.93亿元，年均复合增长率为194.8%。截至 2024 年 6 月底，营业收入为 3.86 亿元，同比增长 25.2%。
目前， 为中国和海外的大约 140 家客户提供 GaN 产品，主要在亚洲和欧洲。并得到了客户的广泛认可。
不久前，该公司的 40V 车规级产品-Q 还获得了“年度影响力产品”奖。进一步印证了公司强大的研发技术实力和卓越的产业化能力。
据介绍，该产品是英诺赛科基于40V汽车平台开发的超小型封装氮化镓汽车芯片，已通过AEC-Q101汽车级认证。该芯片具有体积小、损耗低、高频、大功率等优点，是继汽车激光雷达之后第二款进入汽车预装市场的氮化镓芯片，为新能源汽车的智能化和便捷化提供了有力支撑。
在半导体行业，IDM 公司在实现规模经济之前，会经过 -in and -win 流程，即客户在产品设计初期与供应商合作，提出并提炼符合客户需求和市场趋势的设计 （-in），然后获得客户对产品设计采用 （-win） 的确认的过程。
目前，公司正在逐步实现规模经济和提高运营效率，净亏损正在逐步收窄。截至 2024 年 6 月底，公司期内亏损减少 15.8%，经调整净亏损（非香港财务报告准则衡量标准）同比减少 31.2%。
该公司希望通过持续的收入增长、规模经济和提高运营效率，在不久的将来改善其财务业绩并实现盈利。
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