目前，微软和EDA的所有主要工具，以及EDA和Ansys的仿真和电迁移工具，都已为台积电的N2P制造工艺做好了准备。该方案已通过0.9版本的N2P工艺开发套件（PDK）认证，该套件被认为已经足够成熟，预计该工艺将于2026年下半年进入量产。
此外，第三方 IP，包括标准单元、GPIO、SRAM 编译器、ROM 编译器、存储器接口和 UCIe 产品，现在可以通过各种供应商（包括 TSMC 本身、ABI）以投片前设计套件的形式提供。 ,,,M31 和。
据IT之家介绍，台积电N2系列工艺技术相比上一代的主要增强是纳米片全栅（GAA）晶体管和超高性能金属-绝缘体-金属（）电容器。纳米片GAA晶体管的优点是沟道宽度可以定制，以适应高性能或低泄漏操作，而电容可以增强电源稳定性并有利于片上去耦。据台积电介绍，该电容器的容量密度是前代产品的两倍以上，同时还将Rs芯片电阻（欧姆/平方）降低了50%，同时Rc通孔电阻也降低了50%。
与第一代N2工艺相比，N2P还会有额外的改进：功耗降低5%-10%（相同频率和晶体管数量下）或性能提高5%-10%（相同功耗和晶体管数量下）晶体管数量））。 N2X将具有比N2和N2P更高的FMAX电压，并且可以为数据中心CPU、GPU和专用ASIC提供更好的性能。在IP层面，N2P和N2X是兼容的，因此打算使用N2X的公司不需要重新开发任何为N2P设计的东西。
去年，台积电在欧洲OIP论坛上表示，其N2工艺技术生态系统正在发展，EDA工具和部分第三方IP已获得合约芯片制造商的认证。在今年的OIP活动上，台积电宣布所有主要供应商的EDA程序不仅通过了原始N2的认证，而且还通过了其改进版本N2P的认证，这是一个重要的里程碑。
虽然台积电的密切合作伙伴（那些拥有早期 PDK 和预生产 EDA 工具的公司）已经设计了使用台积电 N2 系列制程技术（2nm 级别）制造的处理器（例如苹果），但资源有限的小型芯片设计公司不允许这样做等待台积电及其合作伙伴开发兼容的EDA程序和IP模块。这些用于 N2P 的工具现已作为 0.9v PDK 提供，这表明 N2P 已步入正轨。
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